中国学者《科学》发文 突破半导体碳纳米管关键技术

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　　【财新网】（记者 徐路易）硅电路的能力正在接近其物理极限，科学家们开始寻找新的材料继续延续IT业的“摩尔定律”。北京大学电子学系彭练矛教授-张志勇教授团队近日于权威期刊《科学》杂志发表研究论文《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》，提出了新的提纯和自组装方法，可以制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料，并在此基础上首次实现了性能全面超越同等栅长硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的晶体管和电路。